單項(xiàng)選擇題測(cè)量太陽(yáng)電池的電學(xué)性能可以歸結(jié)為測(cè)量它的()。

A.光譜響應(yīng)
B.光學(xué)特性
C.伏安特性


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1.單項(xiàng)選擇題下列屬于制作非晶硅太陽(yáng)電池常用的方法的是()。

A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法

2.單項(xiàng)選擇題制作太陽(yáng)電池的工藝中不包括下列哪個(gè)方面()。

A.硅片表面準(zhǔn)備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)

3.單項(xiàng)選擇題下列不是硅片主要切片方法的是()。

A.外圓切割
B.內(nèi)圓切割
C.多線切割
D.單線切割

4.單項(xiàng)選擇題下面是直拉法生產(chǎn)單晶硅工藝流程圖正確順序的是()。

A.種晶—放肩—等徑—引晶
B.引晶—放肩—等徑—種晶
C.種晶—引晶—放肩—等徑
D.引晶—種晶—放肩—等徑

5.單項(xiàng)選擇題以下省份中,年平均日照射強(qiáng)度最高省份是()。

A.寧夏
B.河南
C.江蘇
D.海南

6.單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法

7.單項(xiàng)選擇題層壓組件時(shí)一般需要的時(shí)間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

10.單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過(guò)程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長(zhǎng)速度
D.合成時(shí)加入少量的催化劑,可降低溫度