單項(xiàng)選擇題非晶硅薄膜太陽能電池中的TCO是透明導(dǎo)電膜的簡稱,制作時(shí)將其做成絨面的目的是()。

A.增加光的反射
B.減少光的透射
C.美觀
D.減少光的反射


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3.單項(xiàng)選擇題光伏電池組件電學(xué)特性測試中不必用到的設(shè)備是()。

A.氣壓表
B.電流表
C.電壓表
D.滑動(dòng)變阻器

4.單項(xiàng)選擇題測量太陽電池的電學(xué)性能可以歸結(jié)為測量它的()。

A.光譜響應(yīng)
B.光學(xué)特性
C.伏安特性

5.單項(xiàng)選擇題下列屬于制作非晶硅太陽電池常用的方法的是()。

A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法

6.單項(xiàng)選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個(gè)方面()。

A.硅片表面準(zhǔn)備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)

7.單項(xiàng)選擇題下列不是硅片主要切片方法的是()。

A.外圓切割
B.內(nèi)圓切割
C.多線切割
D.單線切割

8.單項(xiàng)選擇題下面是直拉法生產(chǎn)單晶硅工藝流程圖正確順序的是()。

A.種晶—放肩—等徑—引晶
B.引晶—放肩—等徑—種晶
C.種晶—引晶—放肩—等徑
D.引晶—種晶—放肩—等徑

9.單項(xiàng)選擇題以下省份中,年平均日照射強(qiáng)度最高省份是()。

A.寧夏
B.河南
C.江蘇
D.海南

10.單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法

最新試題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:單項(xiàng)選擇題

全加器的輸入信號(hào)是()

題型:多項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測量和自動(dòng)控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()

題型:單項(xiàng)選擇題

電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。

題型:多項(xiàng)選擇題

清零端與脈沖信號(hào)的狀態(tài)無關(guān),所以叫做同步清零。

題型:判斷題

并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()

題型:單項(xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

集成運(yùn)放的反相輸入端,當(dāng)輸入信號(hào)(ui1)由此輸入時(shí),輸出信號(hào)(u0)與輸入ui1同相。

題型:判斷題