A.與電流連續(xù)時(shí)沒(méi)有差別
B.理想空載轉(zhuǎn)速升高
C.機(jī)械特性顯著變軟
D.電機(jī)發(fā)生堵轉(zhuǎn)
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A.提高整流裝置的功率因數(shù)
B.減小電源容量
C.減少高次諧波對(duì)電網(wǎng)的影響
D.降低晶閘管所承受的最大電壓
A.通態(tài)壓降小，約為1.1V，僅是IGBT通態(tài)壓降的三分之一
B.開(kāi)關(guān)速度快
C.工作溫度高
D.即使關(guān)斷失敗也不會(huì)損害器件
A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過(guò)電壓保護(hù)
A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開(kāi)啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓
A.直接測(cè)量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快
A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路
A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311
A.狀態(tài)識(shí)別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法
A.大功率晶體管GTR不會(huì)發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會(huì)發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過(guò)程很短暫
A.門極開(kāi)通電路
B.門極關(guān)斷電路
C.門極反偏電路
D.RCD吸收電路
最新試題
全加器的輸入信號(hào)是（）
異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器，而其它各位觸發(fā)器都是，依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖，采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。
交流放大電路接入負(fù)載電阻后，對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無(wú)影響。
平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端，靜態(tài)時(shí)外接電阻相等。
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算，涉及到了（）測(cè)量和自動(dòng)控制等方面
全加器的輸出信號(hào)是（）
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載（）
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)（）分頻。
所謂異步時(shí)序邏輯電路，是指電路中所有的觸發(fā)器，具有同一個(gè)時(shí)鐘脈沖CP的作用，因此各觸發(fā)器的狀態(tài)也不可能處于同一時(shí)刻改變。
使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會(huì)下降。