單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長
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1.單項選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
2.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點缺陷
D、體缺陷
3.單項選擇題硅單質(zhì)是（）
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
4.問答題簡述影響碳酸鈣分解速度的因素。
5.問答題簡述如何選擇陶瓷的成方法？
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最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題