單項選擇題把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。

A.改變禁帶寬度;
B.產(chǎn)生復(fù)合中心;
C.產(chǎn)生空穴陷阱;
D.產(chǎn)生等電子陷阱。


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4.單項選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

A.減小,減小
B.減小,增大
C.增大,增大
D.增大,減小

5.單項選擇題下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()

A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率

6.單項選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向()

A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)

7.單項選擇題PN結(jié)的基本特性是()

A.單向?qū)щ娦?br /> B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性

9.單項選擇題在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()

A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)

10.單項選擇題硅片拋光在原理上不可分為()

A.機械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機械--化學(xué)拋光法