單項選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西門子改良法5、冶金法6、氣液沉淀法7、重摻硅廢料提純法

A、1234
B、123
C、1456
D、4567


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你可能感興趣的試題

1.單項選擇題如何從石英砂制取硅?說明從石英到單晶硅的工藝的簡要框圖正確的是()

A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
B、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長

2.單項選擇題關(guān)于晶體下列說法錯誤的是()

A.調(diào)整晶體生長的熱系統(tǒng),使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運行參數(shù),例如對于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速,調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值

3.單項選擇題硅片制備主要工藝流程是()

A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包

5.單項選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是()

A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗

6.單項選擇題對于鑄造多晶硅氧濃度越(),鈍化效果越(),少數(shù)載流子壽命增加越()

A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多

8.單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是()

A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長

9.單項選擇題下列是晶體的是()

A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料

10.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()

A、線缺陷
B、面缺陷
C、點缺陷
D、體缺陷

最新試題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。

題型:單項選擇題

對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。

題型:單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項選擇題

下列哪個不是單晶常用的晶向()

題型:單項選擇題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:單項選擇題

在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。

題型:單項選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:單項選擇題

在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()

題型:單項選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:單項選擇題