A.邊沿D觸發(fā)器
B.主從RS觸發(fā)器
C.同步RS觸發(fā)器
D.主從JK觸發(fā)器
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C.同步RS觸發(fā)器
D.邊沿D觸發(fā)器
A.1、2、3、4
B.4、3、2、1
C.4、2、3、1
D.4、1、2、3
A.后級(jí)加緩沖電路
B.接入濾波電容
C.修改邏輯設(shè)計(jì)增加冗余項(xiàng)
D.引入封鎖脈沖
A.2
B.3
C.4
D.5
A.譯碼器
B.加法器
C.寄存器
D.數(shù)據(jù)選擇器
A.輸出僅由輸入決定
B.電路的輸出與電路當(dāng)前狀態(tài)無(wú)關(guān)
C.電路結(jié)構(gòu)中無(wú)反饋環(huán)路
D.有記憶功能
A.全部輸入是0
B.任一輸入是0
C.僅一輸入是0
D.全部輸入是1
A.10101
B.00100101
C.100101
D.10101
最新試題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
以下哪個(gè)編碼不能是二－十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼（）
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
TTL與非門(mén)輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門(mén)是（）
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是（）
兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。