單項選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n
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1.單項選擇題如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
2.單項選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。
A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時間
D.加法器
5.單項選擇題若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
A.RAM
B.COMP
C.ROM
D.MUX
6.單項選擇題ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實現(xiàn)（）。
A.代碼轉(zhuǎn)換
B.邏輯函數(shù)
C.乘法運(yùn)算
D.計數(shù)器
7.單項選擇題電可擦除的PROM器件是（）
A.EPROM
B.E2PROM
C.PLA
D.PAL
8.單項選擇題采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
A.不
B.紫外線
C.電
D.高壓電
9.單項選擇題27系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
A.不
B.電
C.紫外線
D.融斷器
最新試題
電可擦除的PROM器件是（）
題型：單項選擇題
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項選擇題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。
題型：單項選擇題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項選擇題
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài)，如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)？
題型：問答題
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
題型：單項選擇題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項選擇題
以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。
題型：單項選擇題
判斷如下VHDL的操作是否正確，如不正確，請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT，c是INTEGER，執(zhí)行c＜=a+b。
題型：問答題
用原碼輸出的譯碼器實現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個（）。
題型：單項選擇題