A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
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A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
A.輸入低電平時,三極管工作在截止區(qū),輸出為高電平。
B.輸入高電平時,三極管工作在飽和區(qū),輸出為低電平。
C.輸入低電平時,三極管工作在截止區(qū),輸出為低電平。
D.輸入高電平時,三極管工作在飽和區(qū),輸出為高電平。
A.電阻
B.電位器
C.二極管
D.三極管
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.晶體振蕩器
A.接高于2V的電壓
B.接另一TTL電路的輸出高電平
C.接地
D.懸空
A.接地
B.接低于0.8V的電壓
C.接另一個TTL電路的輸出
D.懸空
A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.發(fā)射區(qū)
A.電源
B.負載
C.驅(qū)動電路
D.下拉電阻
A.飽和區(qū)
B.轉(zhuǎn)折區(qū)
C.線性區(qū)
D.截止區(qū)
最新試題
兩個與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當Q=1、Q=0時,兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會()。
用原碼輸出的譯碼器實現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個()。
一個VHDL模塊是否必須有一個實體和一個結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個實體和結(jié)構(gòu)體?簡述它們的作用。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
以下哪個編碼不能是二-十進制譯碼器的輸入編碼()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實現(xiàn)()。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()