A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層,但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在,平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測(cè)器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無(wú)關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無(wú)關(guān)
D.外加電壓增大,耗盡層的寬度增加
A.平均電離能比閃爍體探測(cè)器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會(huì)大大降低半導(dǎo)體的電阻率
A.高的電阻率,短的載流子壽命
B.高的電阻率,長(zhǎng)的載流子壽命
C.低的電阻率,長(zhǎng)的載流子壽命
D.低的電阻率,短的載流子壽命
A.Li
B.B
C.P
D.Al
A.能量分辨率好
B.對(duì)γ射線的探測(cè)效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷
A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器
A.探測(cè)效率高
B.時(shí)間特性好
C.用途廣泛,閃爍體選擇多
D.適合于測(cè)量帶電粒子,不適合測(cè)量不帶電粒子
A.陽(yáng)極收集的總電荷量
B.閃爍體的發(fā)光衰減時(shí)間常數(shù)
C.輸出回路等效電容
D.輸出回路等效電阻
最新試題
幾何因素對(duì)探測(cè)器測(cè)量活度的影響描述正確的是()。
常見(jiàn)的241Am-9Be中子源中,9Be的作用是()。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。
測(cè)量能量10keV的γ射線,觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰,對(duì)于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是()。
對(duì)于(D,D)反應(yīng)和(D,T)反應(yīng),下列描述正確的是()。
下列對(duì)中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是()。
關(guān)于符合的描述,下列說(shuō)法正確的是()。
下列哪種中子的波長(zhǎng)最短?()
關(guān)于延遲符合,下列描述錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是()。