單項選擇題關(guān)于半導體作為探測器介質(zhì)的物理性能，下列說法錯誤的是（）。

A.平均電離能比閃爍體探測器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會大大降低半導體的電阻率


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1.單項選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導體探測器的關(guān)鍵？（）

A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長的載流子壽命
C.低的電阻率，長的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命

3.單項選擇題與氣體探測器相比，下列哪一項不是半導體探測器的優(yōu)點？（）

A.能量分辨率好
B.對γ射線的探測效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷

4.單項選擇題下列哪項不是閃爍探測器必備的構(gòu)成部分？（）

A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器

5.單項選擇題閃爍探測器的特點不包括下面哪項？（）

A.探測效率高
B.時間特性好
C.用途廣泛，閃爍體選擇多
D.適合于測量帶電粒子，不適合測量不帶電粒子

6.單項選擇題處于電流脈沖型工作狀態(tài)的閃爍探測器，其輸出脈沖幅度與下列哪個參數(shù)無關(guān)？（）

A.陽極收集的總電荷量
B.閃爍體的發(fā)光衰減時間常數(shù)
C.輸出回路等效電容
D.輸出回路等效電阻

7.單項選擇題單晶閃爍譜儀中閃爍體的尺寸變大時，其峰總比和峰源效率將如何變化？（）

A.峰總比變大，峰源效率變大
B.峰總比變大，峰源效率變小
C.峰總比變小，峰源效率變大
D.峰總比變小，峰源效率變小

9.單項選擇題下列哪種因素對單晶閃爍譜儀的γ射線探測效率沒有影響？（）

A.閃爍體的組成元素
B.閃爍體的密度
C.閃爍體的厚度
D.打拿極的倍增系數(shù)