A.坪斜修正可以降低工作電壓偏高對(duì)結(jié)果的影響
B.高Z材料會(huì)加強(qiáng)反散射效果，所以要用低Z材料做源托
C.β射線在介質(zhì)中的被吸收規(guī)律近似服從指數(shù)規(guī)律
D.β射線穿透力強(qiáng)于α粒子，故而不需要考慮源的自吸收問題
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A.不能用小立體角法測(cè)量
B.需要考慮軔致輻射效應(yīng)
C.需要考慮電子散射問題
D.不需要真空的測(cè)量環(huán)境
A.不需要考慮源的自吸收
B.厚樣品在實(shí)際中很少見
C.樣品厚度達(dá)到一定值后，再增大其厚度，測(cè)量的活度基本不變
D.樣品不同位置薄層中的α粒子出射的概率是一樣的
A.探測(cè)腔室一般要抽真空
B.為提高探測(cè)效率，α源要盡可能貼近探測(cè)器
C.源發(fā)射α粒子是各向同性的
D.一般可以作為點(diǎn)源處理
A.由于吸收作用，探測(cè)器的窗對(duì)活度測(cè)量會(huì)有影響
B.α源與探測(cè)器間的空氣也會(huì)影響測(cè)量的活度結(jié)果
C.對(duì)于β射線的測(cè)量，散射情況一般需要考慮
D.由于反散射的影響，需要用高Z材料做β源托，降低反散射
A.點(diǎn)源情況下的源的形狀
B.探測(cè)器的種類
C.探測(cè)器的大小尺寸
D.入射粒子的種類
A.放射源一般都比較小，所以都可以看做點(diǎn)源
B.只有源的直徑遠(yuǎn)小于探測(cè)器距源的距離時(shí)才可以將其看做點(diǎn)源
C.只有源的直徑遠(yuǎn)小于探測(cè)器敏感體積的尺寸時(shí)才可以將其看做點(diǎn)源
D.非點(diǎn)源情況下，無(wú)法用解析的方法計(jì)算探測(cè)效率
A.測(cè)量開始的時(shí)間
B.探測(cè)器本征探測(cè)效率
C.環(huán)境本底的計(jì)數(shù)率
D.源與探測(cè)器幾何位置關(guān)系
A.相對(duì)法需要一個(gè)已知活度的源作參照
B.使用相對(duì)法測(cè)量更加簡(jiǎn)便，所以是活度測(cè)量的基本方法
C.絕對(duì)法復(fù)雜一些，要結(jié)合各種實(shí)際的情況因素進(jìn)行考慮
D.為保證結(jié)果的精確性，使用絕對(duì)法測(cè)量時(shí)可以多次測(cè)量進(jìn)行分析
A.源的活度和能量是常見的輻射探測(cè)目標(biāo)
B.測(cè)量源的位置與遠(yuǎn)近距離可以用在輻射成像等領(lǐng)域上
C.暫時(shí)無(wú)法通過(guò)測(cè)量的信息分析入射粒子的種類
D.可以測(cè)量粒子的飛行時(shí)間
A.HPGe和Ge（Li）用于組成γ譜儀，Ge較高的密度和原子序數(shù)有利于γ射線探測(cè)
B.Si（Li）探測(cè)器可以作低能量的γ射線和X射線測(cè)量
C.Si（Li）探測(cè)器可以作β粒子或其他外部入射的電子的探測(cè)，因?yàn)樗有驍?shù)低，反散射小
D.Si（Li）探測(cè)器也適合測(cè)量高能γ射線
最新試題
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是（）。
幾何因素對(duì)探測(cè)器測(cè)量活度的影響描述正確的是（）。
下列對(duì)中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是（）。
同位素中子源不包括哪一種？（）
關(guān)于中子的彈性、非彈性散射，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于加速器中子源，描述錯(cuò)誤的是（）。
對(duì)于β射線活度測(cè)量的諸多修正的描述錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于24Na-9Be中子源的描述不正確的是（）。
下列對(duì)γ能譜的描述，錯(cuò)誤的是（）。
下列哪項(xiàng)不是中子探測(cè)的特點(diǎn)？（）