A.遠離射線源一側(cè)的工件表面上
B.靠近射線源一側(cè)的工件表面上
C.膠片暗盒表面上
D.A、B和C
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A.光子數(shù)
B.正電荷數(shù)
C.中子數(shù)+電子數(shù)
D.以上都不對
A.分子
B.中子
C.電子
D.離子
A.27
B.33
C.60
D.87
A.射線直接曝光
B.采用熒光增感
C.采用鉛箔增感
D.以上都不對
A.感光速度增高
B.黑度增大
C.灰霧度增大
D.漏光
A.透射式黑度計
B.反射式黑度計
C.聚焦旋轉(zhuǎn)式黑度計
D.以上都不對
A.lo是入射線強度,L是透射射線強度
B.lo是入射光強度,L是透射光強度
C.lo是透射射線強度,L是入射線強度
D.lo是透射光強度,L是入射光強度
A.對比度
B.清晰度
C.感光度
D.以上都不是
A.中子射線照相
B.射線CT技術(shù)
C.康普頓背散射成像技術(shù)
D.A、B和C
A.金屬表面的腐蝕裂紋
B.原子序數(shù)低、厚度小物體的層析射線照相
C.厚度很大物體的表面層內(nèi)部缺陷
D.A、B和C
最新試題
阻止?jié)B透液滲入及滲出表面開口缺陷的固體污染物有()。
表面波檢測中,利用表面波檢測()效果好。
超聲檢測時對工件無腐蝕的耦合劑是()。
單晶體金屬特點有()。
磁場信號測量中可采用()方法。
對滲透探傷無影響的是()。
常規(guī)的縱波聲場或橫波聲場,聲速是以一定的角度擴散出去的,所以有()。
大厚度比試件透照特殊技術(shù)中的補償技術(shù)是指利用()填補工件的較薄部分,使透照厚度差減小的方法。
滲透檢測工藝對顯像操作的要求有()。
將彎曲液面對液體的壓強與平面液面對液體的壓強相比,任何液面膜對液體施以附加壓強,下面描述正確的是()。