A、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.1
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A、1mm/m
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A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
A、1～3kN/s
B、10～30kN/s
C、1～30kN/s
D、3～10kN/s
A、1～3mm
B、1～5mm
C、3～5mm
D、5～8mm
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
改良西門子法的顯著特點不包括（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）