單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中，以下不需要用于蒸壓加氣混凝土干燥收縮的儀器設(shè)備有（）
A、電熱鼓風(fēng)干燥箱
B、天平
C、材料試驗(yàn)機(jī)
D、恒溫水槽
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1.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中進(jìn)行蒸壓加氣混凝土力學(xué)性能試驗(yàn)時(shí)，靜力受壓彈性模量測試的試件的測量標(biāo)距為（）mm。
A、100
B、150
C、200
D、250
2.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中進(jìn)行蒸壓加氣混凝土力學(xué)性能試驗(yàn)時(shí)，抗折強(qiáng)度測試時(shí)應(yīng)將試件放在抗彎支座輥輪上，支點(diǎn)間距應(yīng)為（）mm.
A、150mm
B、300mm
C、450mm
D、600mm
3.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中蒸壓加氣混凝土力學(xué)性能試驗(yàn)的試件承壓面的不平度應(yīng)為每（）mm不超過（）mm。
A、100.0.1
B、100.1
C、100.0.5
D、100.0.01
4.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中蒸壓加氣混凝土力學(xué)性能所用的材料試驗(yàn)機(jī)，其量程的選擇應(yīng)能使試件的預(yù)期最大破壞荷載處在全量程的（）范圍內(nèi)。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
5.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中蒸壓加氣混凝土力學(xué)性能所用的材料試驗(yàn)機(jī)的精度不應(yīng)低于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
6.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中蒸壓加氣混凝土的吸水率和干密度試驗(yàn)結(jié)果按（）塊試件試驗(yàn)的算術(shù)平均值進(jìn)行評定。
A、1
B、2
C、3
D、4
7.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定進(jìn)行蒸壓加氣混凝土干密度和含水率試驗(yàn)時(shí)需烘至恒質(zhì)（M0），恒質(zhì)是指在烘干過程中間隔4h，前后兩次質(zhì)量差不超過試件質(zhì)量的（）。
A、1%
B、2%
C、0.5%
D、1.5%
8.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定進(jìn)行蒸壓加氣混凝土干密度和含水率試驗(yàn)時(shí)需將試件烘至恒質(zhì)（M0），恒質(zhì)是指在烘干過程中間隔（），前后兩次質(zhì)量差不超過試件質(zhì)量的0.5%。
A、1h
B、2h
C、3h
D、4h
9.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定進(jìn)行蒸壓加氣混凝土干密度和含水率試驗(yàn)時(shí)應(yīng)逐塊量取長、寬、高三個(gè)方向的軸線尺寸，精確至（）mm。
A、1
B、2
C、3
D、4
10.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定進(jìn)行干密度、含水率和吸水率等試驗(yàn)時(shí)試件共二組（）塊。
A、3
B、6
C、10
D、20
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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
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在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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硅片拋光在原理上不可分為（）
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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題