A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、1
B、2
C、3
D、4
A、1%
B、2%
C、0.5%
D、1.5%
A、1h
B、2h
C、3h
D、4h
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3
B、6
C、10
D、20
A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
最新試題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
可用作硅片的研磨材料是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
PN結(jié)的基本特性是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列是晶體的是()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()