A、1
B、2
C、3
D、4
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A、1%
B、2%
C、0.5%
D、1.5%
A、1h
B、2h
C、3h
D、4h
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3
B、6
C、10
D、20
A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.1
A、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。