A、3
B、6
C、10
D、20
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A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.1
A、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。