A、NHB.MU7.5AGB8239
B、NHB.MU3.5BGB8239
C、NHB.MU2.5CGB8239
D、NHB.MU7.5DGB8239
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、技術(shù)要求
B、試驗(yàn)方法
C、檢驗(yàn)規(guī)則
D、放射性核素限量
A、700
B、600
C、1300
D、1400
A、MU1.5
B、MU2.5
C、MU10.0
D、MU15.0
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強(qiáng)度
D、吸水率和相對含水率
A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時;
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時;
C、正常生產(chǎn)六個月時(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上恢復(fù)生產(chǎn)時
A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
A、原材料
B、要求
C、檢驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()