A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、B02
B、B03
C、B08
D、B09
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、立方體抗壓強度
D、干密度
A、粉煤灰
B、石灰
C、水泥
D、粘土
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、干燥收縮
A、粉煤灰應符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應符合GB175的規(guī)定
D、水泥應符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強度等級
D、密度等級
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時;
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時;
C、正常生產(chǎn)時,每半年進行一次;
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上,恢復生產(chǎn)時。
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
硅片拋光在原理上不可分為()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
下列哪個不是單晶常用的晶向()