A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、顏色
C、抗壓強(qiáng)度和抗折強(qiáng)度
D、抗凍性
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A、產(chǎn)品分類
B、技術(shù)要求
C、試驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、MU3.5
B、MU5.0
C、MU20
D、MU25
A、NHB.MU7.5AGB8239
B、NHB.MU3.5BGB8239
C、NHB.MU2.5CGB8239
D、NHB.MU7.5DGB8239
A、技術(shù)要求
B、試驗(yàn)方法
C、檢驗(yàn)規(guī)則
D、放射性核素限量
A、700
B、600
C、1300
D、1400
A、MU1.5
B、MU2.5
C、MU10.0
D、MU15.0
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強(qiáng)度
D、吸水率和相對(duì)含水率
A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時(shí);
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時(shí);
C、正常生產(chǎn)六個(gè)月時(shí)(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
PN結(jié)的基本特性是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
下列是晶體的是()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。