A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
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A、拉力指標(biāo)≥800N/50mm
B、最大拉力時(shí)伸長(zhǎng)率指標(biāo)≥40%
C、耐熱性指標(biāo)為70℃,2h無(wú)位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標(biāo)為-25℃,無(wú)裂紋
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時(shí)延伸率
D、耐熱性
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()