A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
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A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、顏色
C、抗壓強(qiáng)度和抗折強(qiáng)度
D、抗凍性
A、產(chǎn)品分類
B、技術(shù)要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、MU3.5
B、MU5.0
C、MU20
D、MU25
A、NHB.MU7.5AGB8239
B、NHB.MU3.5BGB8239
C、NHB.MU2.5CGB8239
D、NHB.MU7.5DGB8239
A、技術(shù)要求
B、試驗方法
C、檢驗規(guī)則
D、放射性核素限量
A、700
B、600
C、1300
D、1400
A、MU1.5
B、MU2.5
C、MU10.0
D、MU15.0
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()