A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
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A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、顏色
C、抗壓強(qiáng)度和抗折強(qiáng)度
D、抗凍性
A、產(chǎn)品分類
B、技術(shù)要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、MU3.5
B、MU5.0
C、MU20
D、MU25
A、NHB.MU7.5AGB8239
B、NHB.MU3.5BGB8239
C、NHB.MU2.5CGB8239
D、NHB.MU7.5DGB8239
A、技術(shù)要求
B、試驗方法
C、檢驗規(guī)則
D、放射性核素限量
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列是晶體的是()。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
硅片拋光在原理上不可分為()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
PN結(jié)的基本特性是()