A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
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A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質凸出高度
A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀質量
B、顏色
C、抗壓強度和抗折強度
D、抗凍性
A、產(chǎn)品分類
B、技術要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、MU3.5
B、MU5.0
C、MU20
D、MU25
A、NHB.MU7.5AGB8239
B、NHB.MU3.5BGB8239
C、NHB.MU2.5CGB8239
D、NHB.MU7.5DGB8239
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
可用作硅片的研磨材料是()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()