A、錨具變形
B、夾片位移
C、混凝土收縮
D、預應力筋回縮
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A、達到95%預應力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達到90%預應力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達到120%預應力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達到110%預應力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護層厚度不小于50mm
C、外露預應力筋的保護層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預應力筋的保護層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截斷
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預應力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實驗能完全反映錨具性能
D、錨具外露端應有防護措施
A、實驗應在1小時內做完
B、試驗段長度應為2米
C、實驗前應做硬度試驗
D、最終的總應變越小越好
A、錨頭端預應力筋斷裂
B、滑絲
C、內縮值偏大
D、夾片斷裂
A、鋼質錐塞式
B、預應力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
A、焊接預應力筋后應加熱
B、只能用于預應力構件內部
C、焊接應在冷拉之前進行
D、不能和鋼絞線直接連接
最新試題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。