A、0.0008%
B、0.021%
C、0.77%
D、2.11%
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你可能感興趣的試題
A、淬火+低溫回火
B、滲碳后淬火+低溫回火
C、調(diào)質(zhì)后表面淬火
D、正火
A、低碳低合金鋼
B、中碳低合金鋼
C、高碳低合金鋼
D、低碳中合金鋼
A、調(diào)質(zhì)
B、淬火+低溫回火
C、滲碳
D、滲碳后淬火+低溫回火
A、Acl+30—50C
B、Ac3+30—50C
C、Accm+30—50C
D、T再+30—50C
A、強(qiáng)度硬度下降,塑性韌性提高
B、強(qiáng)度硬度提高,塑性韌性下降
C、強(qiáng)度韌性提高,塑性韌性下降
D、強(qiáng)度韌性下降,塑性硬度提高
A、晶粒的相對滑動
B、晶格的扭折
C、位錯的滑移
D、位錯類型的改變
A、增大VK
B、增加淬透性
C、減小其淬透性
D、增大其淬硬性
A.等溫退火
B.完全退火
C.球化退火
D.正火
A、溫度
B、拉力
C、錨具構(gòu)造
D、張拉錨固工藝
A、L
B、S
C、J
D、M
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()