A、低碳低合金鋼
B、中碳低合金鋼
C、高碳低合金鋼
D、低碳中合金鋼
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、調質
B、淬火+低溫回火
C、滲碳
D、滲碳后淬火+低溫回火
A、Acl+30—50C
B、Ac3+30—50C
C、Accm+30—50C
D、T再+30—50C
A、強度硬度下降,塑性韌性提高
B、強度硬度提高,塑性韌性下降
C、強度韌性提高,塑性韌性下降
D、強度韌性下降,塑性硬度提高
A、晶粒的相對滑動
B、晶格的扭折
C、位錯的滑移
D、位錯類型的改變
A、增大VK
B、增加淬透性
C、減小其淬透性
D、增大其淬硬性
A.等溫退火
B.完全退火
C.球化退火
D.正火
A、溫度
B、拉力
C、錨具構造
D、張拉錨固工藝
A、L
B、S
C、J
D、M
A、錨板
B、夾片
C、連接器
D、墊板
A、夾片錨具
B、鐓頭錨具
C、擠壓錨具
D、錐塞錨具
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列是晶體的是()。
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()