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A.碳含量
B.合金元素含量
C.冷卻速度
D.過(guò)冷度
A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
A.淬火+低溫回火
B.淬火+中溫回火
C.調(diào)質(zhì)
D.調(diào)質(zhì)后表面淬火
A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
A.不會(huì)在恒溫下結(jié)晶
B.不會(huì)發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時(shí)效強(qiáng)化
A.其晶粒形狀會(huì)改變
B.其機(jī)械性能會(huì)發(fā)生改變
C.其晶格類(lèi)型會(huì)發(fā)生改變
D.其晶粒大小會(huì)發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()