問答題高分子材料的主要性能特點(diǎn)是什么?
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1.問答題奧氏體形成的四個步驟是什么?
3.問答題說明本體聚合與懸浮聚合的異同?
6.問答題晶體有哪些特性?
7.單項選擇題鋼的淬透性主要決定于其()
A.碳含量
B.合金元素含量
C.冷卻速度
D.過冷度
8.單項選擇題下列鋁合金中,被稱為硅鋁明的是()
A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
9.單項選擇題熱鍛模的最終熱處理工藝應(yīng)該是()
A.淬火+低溫回火
B.淬火+中溫回火
C.調(diào)質(zhì)
D.調(diào)質(zhì)后表面淬火
10.單項選擇題T8鋼奧氏體化后進(jìn)行油淬,其組織為()
A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題