最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。