下列哪個不是單晶常用的晶向（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。