單項(xiàng)選擇題X線照射到直接FPD上時(shí)，X線光子使非晶硒激發(fā)出（）

A.可見光
B.電子空穴對
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線


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1.單項(xiàng)選擇題直接FPD中將射線轉(zhuǎn)化為電信號(hào)的是（）

A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激勵(lì)熒光體
D.光電倍增管
E.CCD

2.單項(xiàng)選擇題下列器件哪個(gè)不能將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)（）

A.CCD相機(jī)
B.非晶硅
C.非晶硒
D.光電二極管
E.閃爍體

3.單項(xiàng)選擇題FPD的中文全稱為（）

A.影像板
B.平板探測器
C.光敏照相機(jī)
D.平面回波序列
E.直接數(shù)字X線攝影

4.單項(xiàng)選擇題一般將IP上產(chǎn)生（）的照射量作為基礎(chǔ)的目標(biāo)照射量

A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR

5.單項(xiàng)選擇題CR的第三象限英文簡稱（）

A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP

6.單項(xiàng)選擇題CR四象限理論中，第四象限對應(yīng)的曲線為（）

A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵(lì)熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線

7.單項(xiàng)選擇題CR中IP的線性范圍是（）

A.1：102
B.1：103
C.1：104
D.1：105
E.1：106

8.單項(xiàng)選擇題CR中EDR的中文全稱是（）

A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識(shí)別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器

9.單項(xiàng)選擇題IP曝光后，應(yīng)在（）內(nèi)進(jìn)行信號(hào)讀取

A.1分鐘
B.1小時(shí)
C.8小時(shí)
D.12小時(shí)
E.24小時(shí)

10.單項(xiàng)選擇題CR中光激勵(lì)發(fā)光的波長為（）

A.100～200nm
B.390～490nm
C.290～390nm
D.200～300nm
E.190～290nm