A.圖像存儲(chǔ)
B.成像能源
C.轉(zhuǎn)換介質(zhì)
D.成像方式
E.傳輸方式
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你可能感興趣的試題
A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏/片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏/片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏/片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高
A.IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成
B.IP由基層、晶體層構(gòu)成
C.IP用于檢測(cè)圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器
A.成像時(shí)間短
B.X線利用效率高
C.圖像質(zhì)量好
D.系統(tǒng)成本高
E.以上都是
A.X線-電信號(hào)-數(shù)字圖像
B.X線-可見(jiàn)光-電信號(hào)-數(shù)字圖像
C.X線-可見(jiàn)光-電信號(hào)-模擬圖像
D.X線-電信號(hào)-熒光屏-模擬圖像
E.X線-電信號(hào)-熒光屏-數(shù)字圖像
A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無(wú)電離輻射
A.對(duì)比度好
B.分辨率高
C.成像速度慢
D.可以動(dòng)態(tài)成像
E.視野大
A.可見(jiàn)光
B.電子空穴對(duì)
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線
A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激勵(lì)熒光體
D.光電倍增管
E.CCD
最新試題
屏/片系統(tǒng)成像與數(shù)字平板X(qián)線攝影的共同之處是()
應(yīng)用非晶硒和薄膜晶體管陣列技術(shù)制成的探測(cè)器是()
CR系統(tǒng)中,直接記錄X線影像信息的載體是()DR使用的檢測(cè)裝置是()
場(chǎng)效應(yīng)管的作用是()
光激勵(lì)熒光體中,為改變熒光體的結(jié)構(gòu)和物理特性常摻入()
CR是利用什么進(jìn)行成像的()
DR探測(cè)器可用的是()作為顯示中和劑的是()含5個(gè)結(jié)晶水的硫代硫酸鈉是()顯影液使用的是()能用于IP的是()
直接FPD可以由()直接獲得像素位置信息
讀取裝置輸出的信號(hào)是()
關(guān)于IP的敘述錯(cuò)誤的是()