單項選擇題非晶硒FPD的優(yōu)點不包括()

A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無電離輻射


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1.單項選擇題FPD可用于DSA的根本原因是()

A.對比度好
B.分辨率高
C.成像速度慢
D.可以動態(tài)成像
E.視野大

2.單項選擇題X線照射到直接FPD上時,X線光子使非晶硒激發(fā)出()

A.可見光
B.電子空穴對
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線

3.單項選擇題直接FPD中將射線轉化為電信號的是()

A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激勵熒光體
D.光電倍增管
E.CCD

4.單項選擇題下列器件哪個不能將光信號轉化為電信號()

A.CCD相機
B.非晶硅
C.非晶硒
D.光電二極管
E.閃爍體

5.單項選擇題FPD的中文全稱為()

A.影像板
B.平板探測器
C.光敏照相機
D.平面回波序列
E.直接數(shù)字X線攝影

6.單項選擇題一般將IP上產生()的照射量作為基礎的目標照射量

A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR

7.單項選擇題CR的第三象限英文簡稱()

A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP

8.單項選擇題CR四象限理論中,第四象限對應的曲線為()

A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線

9.單項選擇題CR中IP的線性范圍是()

A.1:102
B.1:103
C.1:104
D.1:105
E.1:106

10.單項選擇題CR中EDR的中文全稱是()

A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器

最新試題

CR的中文全稱為()DR的中文全稱為()

題型:配伍題

DR相比于CR()

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FPD能夠成為平板形狀,主要是探測器的單元陣列采用的是()

題型:單項選擇題

透過被照體的X線照射到平板探測器的非晶硒層時,由于非晶硒的導電特性被激發(fā)出電子-空穴對,即一對正負電子。該電子-空穴對在外加偏置電壓形成的電場作用下被分離并反向運動,負電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號被存儲在TFT的極間電容上。每個TFT形成一個采集圖像的最小單元,即像素。每個像素區(qū)內有一個場效應管,在讀出該像素單元電信號時起開關作用。在讀出控制信號的控制下,開關導通,把存儲于電容內的像素信號逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉換器,從而將對應的像素電荷轉化為數(shù)字化圖像信號。關于該平板探測器的敘述錯誤的是()

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直接數(shù)字化X射線攝影采用多少位的圖像數(shù)字化轉換()

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