A.1:10
B.1:100
C.1:1000
D.1:10000
E.1:100000
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A.非晶硒
B.碘化銫
C.鎢酸鈣
D.非晶硅
E.CCD
A.薄膜晶體管技術(shù)
B.光敏照相機(jī)技術(shù)
C.光電倍增管技術(shù)
D.光激勵(lì)發(fā)光技術(shù)
E.非晶硒技術(shù)
A.Ⅱ+TV攝像機(jī)
B.成像板
C.閃爍體+CCD攝像機(jī)陣列
D.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
E.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
A.硒鼓檢測(cè)器
B.IP成像轉(zhuǎn)換器
C.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
D.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
E.多絲正比室檢測(cè)器
A.成像方式
B.操作方式
C.床旁攝影
D.可應(yīng)用于常規(guī)攝影
E.與常規(guī)X線設(shè)備匹配
A.圖像存儲(chǔ)
B.成像能源
C.轉(zhuǎn)換介質(zhì)
D.成像方式
E.傳輸方式
A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏/片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏/片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏/片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高
A.IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成
B.IP由基層、晶體層構(gòu)成
C.IP用于檢測(cè)圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器
最新試題
CR系統(tǒng)用成像板(IP)來(lái)接收X線的模擬信息,然后經(jīng)過(guò)模/數(shù)轉(zhuǎn)換來(lái)實(shí)現(xiàn)影像的數(shù)字化。存儲(chǔ)在IP上的模擬信息經(jīng)讀取裝置轉(zhuǎn)化為數(shù)字信息。讀取裝置主要由激光閱讀儀、光電倍增管和模/數(shù)轉(zhuǎn)換器組成。IP在X線下受到第一次激發(fā)時(shí)儲(chǔ)存連續(xù)的模擬信息,在激光閱讀儀中進(jìn)行激光掃描時(shí)受到第二次激發(fā),而產(chǎn)生熒光(熒光的強(qiáng)弱與第一次激發(fā)時(shí)的能量精確地成比例,成線性正相關(guān)),該熒光經(jīng)高效光導(dǎo)器采集和導(dǎo)向,進(jìn)入光電倍增管轉(zhuǎn)換為相應(yīng)強(qiáng)弱的電信號(hào),然后進(jìn)行增幅放大、模數(shù)轉(zhuǎn)換成為數(shù)字信號(hào)。IP的作用是()
KonicaCR系統(tǒng)照射量1mR時(shí)對(duì)應(yīng)的S值為200,2mR對(duì)應(yīng)的S值是()
直接平板探測(cè)器的線性度范圍是()
透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí),由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì),即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng),負(fù)電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負(fù)極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元,即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下,開關(guān)導(dǎo)通,把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是()
FPD能夠成為平板形狀,主要是探測(cè)器的單元陣列采用的是()
場(chǎng)效應(yīng)管的作用是()
CR的缺點(diǎn)有()
光激勵(lì)熒光體中,為改變熒光體的結(jié)構(gòu)和物理特性常摻入()
直接FPD可以由()直接獲得像素位置信息
多絲正比電離室探測(cè)器是()