A、加熱
B、加壓
C、保溫
D、冷卻
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A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料
A、氣體
B、配合料
C、玻璃液
D、配合料和玻璃料的揮發(fā)物
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、物理結(jié)合水
D、機(jī)械結(jié)合水
A、單面加壓
B、雙面同時(shí)加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓
A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料
A、0.2—1nm
B、1—3nm
C、3—幾百nm
D、微米以上
A、CaO
B、Al2O3
C、Fe2O3
D、SiO2
A、C4S
B、C4AF
C、C3AF
D、C12A7
A、破碎
B、干燥
C、篩分
D、煅燒
A、氟化合物
B、硼化合物
C、鋇化合物
D、磷化合物
最新試題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
硅片拋光在原理上不可分為()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
PN結(jié)的基本特性是()