A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
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你可能感興趣的試題
A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.極性共價鍵
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
A、85%
B、90%
C、95%
D、98%
A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在通常情況下,GaN呈()型結構。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()