A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
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A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
A、溫度和反應(yīng)時(shí)間
B、生料的細(xì)度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
C、隧道窯
D、立波爾窯
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機(jī)械結(jié)合水
D、物理結(jié)合水
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列是晶體的是()。