A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.極性共價鍵
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A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
A、85%
B、90%
C、95%
D、98%
A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列是晶體的是()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
可用作硅片的研磨材料是()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;