A.注漿坯料
B.可塑坯料
C.壓制坯料
D.其它
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你可能感興趣的試題
A.解凝劑
B.結(jié)合劑
C.減水劑
D.潤滑劑
A、2
B、3
C、4
D、5
A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
A、濃酸對玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對玻璃的侵蝕實質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學(xué)穩(wěn)定性高。
A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.極性共價鍵
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
A、85%
B、90%
C、95%
D、98%
A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;