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A、起泡劑
B、助融劑
C、澄清劑
D、分散劑
A、1
B、2
C、3
D、4
A、梯度材料
B、智能材料
C、結(jié)構(gòu)材料
D、功能材料
A、抗壓,抗沖擊,抗拉
B、抗拉,抗壓,抗熱震
C、抗壓,抗熱震,抗彎曲
D、抗折,抗壓,抗拉
A、快凝
B、假凝
C、終凝
D、初凝
A、溶解
B、消化
C、活化
D、降解
A、普通水泥
B、氧化鎂水泥
C、菱苦土水泥
D、氯化鎂水泥
A、一水石膏
B、半水石膏
C、工業(yè)石膏
D、硬石膏膠凝材料
A、耐腐蝕性
B、耐用性
C、抗疲勞性
D、可設(shè)計(jì)性
A、靈巧材料
B、智能材料
C、復(fù)合材料
D、梯度材料
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()