A、指向性
B、近場區(qū)
C、振速
D、入射
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A、正壓電效應(yīng)
B、逆壓電效應(yīng)
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)
A、1/2波長的整數(shù)倍時
B、1/2波長的奇數(shù)倍時
C、1/4波長的奇數(shù)倍時
D、1/4波長的整數(shù)倍時
A、tp=1+rp
B、R=rp2
C、D=1-rp2
D、以上都不對
A、(Z2-Z1)/(Z1+Z2)
B、2Z2/(Z1+Z2)
C、4Z1×Z2/(Z1+Z2)2
D、[(Z2-Z1)/(Z1+Z2)]2
A、1/2波長的整數(shù)倍時
B、1/2波長的奇數(shù)倍時
C、1/4波長的奇數(shù)倍時
D、1/4波長的整數(shù)倍時
A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能
A、3200和3200
B、3200和5900
C、5900和5900
D、以上都不對
A、特性
B、形狀
C、方向
D、以上都不對
A、橫向和縱向兩種振動的合成
B、直線振動
C、斜振動
D、S振動
最新試題
渦流檢測線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
直接射向缺陷的波就是()
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
()件對不同類型的檢測對象和要求,采用的方式各有不同。
磁性測厚技術(shù)包括機械式和()兩種測量方法。
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
對于圓盤形試件,常沿()在圓面上進行掃查。
掃查方式一般視試件的()而定。
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生()