A、1/2λ以上
B、2λ以上
C、4λ以上
D、以上都不對(duì)
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A、探頭耦合面幾何尺寸來(lái)決定
B、根據(jù)試塊材料決定
C、幾何尺寸可能產(chǎn)生的干擾雜波必須比參考回波遲到4λ以上
D、以上都不對(duì)
A、底波計(jì)算法
B、試塊法
C、通用AVG曲線法
D、以上都可以
A、直探頭
B、斜探頭
C、雙晶探頭
D、以上都可以
A、1MHzφ14mm
B、2.5MHzφ14mm
C、1MHzφ20mm
D、25MHzφ30mm
A、無(wú)背襯石英探頭
B、帶酚醛樹(shù)脂背襯的石英探頭
C、帶酚醛樹(shù)脂背襯的鈦酸鋇探頭
D、帶環(huán)氧樹(shù)脂背襯的硫酸鋰探頭
A、頻率為2.5MHz
B、圓晶片直徑為20㎜
C、晶片材料為鈦酸鋇陶瓷
D、以上都對(duì)
A、電源電路、同步電路
B、發(fā)射電路、時(shí)基掃描電路
C、接收電路、顯示電路
D、以上都是
A、探測(cè)頻率
B、缺陷方向
C、缺陷部位
D、鋼板的厚度
A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、壓電電壓常數(shù)
D、機(jī)械品質(zhì)因子
A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、機(jī)械品質(zhì)因子
D、壓電電壓常數(shù)
最新試題
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測(cè)量方法。
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
無(wú)損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為()mm,峰值波長(zhǎng)為365mm。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
各類(lèi)渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。