多項選擇題晶閘管鋸齒波觸發(fā)電路至少含有以下（）部分。

A.同步環(huán)節(jié)
B.鋸齒波形成及移相控制環(huán)節(jié)
C.脈沖形成、放大和輸出環(huán)節(jié)
D.脈沖保護環(huán)節(jié)


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1.多項選擇題相控整流―直流電機調(diào)速系統(tǒng)在輕載時出現(xiàn)電流斷續(xù)，電流斷續(xù)時機械特性（）

A.與電流連續(xù)時沒有差別
B.理想空載轉(zhuǎn)速升高
C.機械特性顯著變軟
D.電機發(fā)生堵轉(zhuǎn)

2.多項選擇題整流變壓器不僅能使整流電路與電網(wǎng)隔離，還可以通過合理選擇U2（）。

A.提高整流裝置的功率因數(shù)
B.減小電源容量
C.減少高次諧波對電網(wǎng)的影響
D.降低晶閘管所承受的最大電壓

3.多項選擇題MCT是一種新型電力電子器件，具有以下特點（）。

A.通態(tài)壓降小，約為1.1V，僅是IGBT通態(tài)壓降的三分之一
B.開關(guān)速度快
C.工作溫度高
D.即使關(guān)斷失敗也不會損害器件

4.多項選擇題使用功率MOSFET時要注意（）。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過電壓保護

5.多項選擇題功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求是（）。

A.驅(qū)動信號的前后沿陡峭
B.驅(qū)動信號的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

6.多項選擇題LEM模塊是快速過電流保護的理想器件，具有（）優(yōu)點。

A.直接測量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測量交流、直流和脈沖電流
C.與被測線路隔離
D.響應(yīng)速度快

7.多項選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有（）形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

8.多項選擇題以下集成電路（）是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

9.多項選擇題大功率晶體管GTR過電流保護有（）方式。

A.狀態(tài)識別保護法
B.RCD吸收保護法
C.LEM模塊保護法
D.橋臂互鎖保護法

10.多項選擇題關(guān)于二次擊穿，以下說法正確的是（）。

A.大功率晶體管GTR不會發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過程很短暫