A.降低飽和深度
B.增加飽和深度
C.采用有源泄放回路
D.采用抗飽和三極管
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A.懸空
B.通過(guò)電阻2.7kΩ接電源
C.通過(guò)電阻2.7kΩ接地
D.通過(guò)電阻510Ω接地
A.正或門
B.正非門
C.正與門
D.負(fù)或門
A.TSL門
B.OC門
C.漏極開路門
D.CMOS與非門
A.與非門
B.三態(tài)輸出門
C.集電極開路門
D.漏極開路門
A.用電壓表測(cè)量指針不動(dòng)
B.相當(dāng)于懸空
C.電壓不高不低
D.測(cè)量電阻指針不動(dòng)
A.并聯(lián)比較型
B.逐次逼近型
C.雙積分型
D.施密特觸發(fā)器
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
A.4KΩ
B.5KΩ
C.10KΩ
D.20KΩ
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
最新試題
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號(hào)。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體?簡(jiǎn)述它們的作用。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。