A、燒結普通磚
B、燒結多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
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A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.1
A、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
最新試題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數,它與()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
下列是晶體的是()。
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。