A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
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A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。