A、一般規(guī)定
B、技術(shù)要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
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A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
A、測溫試件就是凍融試驗試件
B、測溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
A、砼動彈性模量測定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
A、砼抗凍標號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標號以抗壓強度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、砼抗凍標號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標號以抗壓強度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
可用作硅片的研磨材料是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。