A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、密度等級(jí)
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、相對(duì)含水率
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A、一般規(guī)定
B、技術(shù)要求
C、試驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
A、粉煤灰
B、生石灰（或電石渣）
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得少于冷凍時(shí)間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得大于冷凍時(shí)間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得少于融化時(shí)間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得大于融化時(shí)間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-18±2）℃和（18±2）℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-18±2）℃和（5±2）℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-5±2）℃和（18±2）℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-20±2）℃和（20±2）℃
A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在（2～4）h內(nèi)完成，且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在（2～4）h內(nèi)完成，且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi)，且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi)，且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
A、測(cè)溫試件就是凍融試驗(yàn)試件
B、測(cè)溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測(cè)溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測(cè)溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗(yàn)試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強(qiáng)度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長(zhǎng)度宜為500mm
A、砼動(dòng)彈性模量測(cè)定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)快凍法來(lái)測(cè)定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)慢凍法來(lái)測(cè)定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過(guò)25%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
可用作硅片的研磨材料是（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）